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IRF637 の電気的特性と機能

IRF637のメーカーはInchange Semiconductorです、この部品の機能は「N-Channel Mosfet Transistor」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 IRF637
部品説明 N-Channel Mosfet Transistor
メーカ Inchange Semiconductor
ロゴ Inchange Semiconductor ロゴ 




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IRF637 Datasheet, IRF637 PDF,ピン配置, 機能
INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
IRF637
DESCRIPTION
·Drain Current ID=6.5A@ TC=25
·Drain Source Voltage-
: VDSS= 275V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) = 0.68Ω(Max)
·Nanosecond Switching Speed
·High Input Impedance
APPLICATIONS
·High current , high speed switching
·Switch mode power supplies
·DC-DC converters for telecom, industrial,and lighting
equipment ideal for monitors B+ function
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL ARAMETER
VALUE UNIT
VDSS
VGS
ID
Ptot
Tj
Tstg
Drain-Source Voltage (VGS=0)
Gate-Source Voltage
275
±20
V
V
Drain Current-continuous@ TC=256.5 A
Total Dissipation@TC=25
75 W
Max. Operating Junction Temperature -55~150
Storage Temperature Range
-55~150
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MAX UNIT
Rth j-c
Rth j-a
Thermal Resistance,Junction to Case
Thermal Resistance,Junction to Ambient
1.67
80
/W
/W
isc websitewww.iscsemi.cn
1 isc & iscsemi is registered trademark
PDF pdfFactory Pro
www.fineprint.cn

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[ IRF637 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
IRF630

200V/9A POWER MOSFET

TAITRON
TAITRON
IRF630

N-channel TrenchMOS transistor

NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
IRF630

N-CHANNEL MOSFET

STMicroelectronics
STMicroelectronics
IRF630

9A/ 200V/ 0.400 Ohm/ N-Channel Power MOSFETs

Intersil Corporation
Intersil Corporation


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