DataSheet.jp

IRF150 の電気的特性と機能

IRF150のメーカーはInchange Semiconductorです、この部品の機能は「N-Channel MOSFET Transistor」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 IRF150
部品説明 N-Channel MOSFET Transistor
メーカ Inchange Semiconductor
ロゴ Inchange Semiconductor ロゴ 




このページの下部にプレビューとIRF150ダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。

Total 2 pages

No Preview Available !

IRF150 Datasheet, IRF150 PDF,ピン配置, 機能
INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
IRF150
DESCRIPTION
·Drain Current ID=40A@ TC=25
·Drain Source Voltage-
: VDSS= 100V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) =0.055Ω(Max)
·High Power,High Speed Applications
APPLICATIONS
·Switching power supplies
·UPS
·Motor controls
·High energy pulse circuits.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE UNIT
VDSS
VGS
ID
Ptot
Tj
Tstg
Drain-Source Voltage (VGS=0)
Gate-Source Voltage
100
±20
V
V
Drain Current-continuous@ TC=2540 A
Total Dissipation@TC=25
150 W
Max. Operating Junction Temperature
150
Storage Temperature Range
-55~150
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case
MAX UNIT
0.83 /W
isc websitewww.iscsemi.cn
1 isc & iscsemi is registered trademark
PDF pdfFactory Pro
www.fineprint.cn

1 Page







ページ 合計 : 2 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ IRF150 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


共有リンク

Link :


部品番号部品説明メーカ
IRF150

N-CHANNEL POWER MOSFETS

Samsung semiconductor
Samsung semiconductor
IRF150

N-CHANNEL POWER MOSFET

Seme LAB
Seme LAB
IRF150

40A/ 100V/ 0.055 Ohm/ N-Channel Power MOSFET

Intersil Corporation
Intersil Corporation
IRF150

TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=100V/ Rds(on)=0.055ohm/ Id= 38A)

International Rectifier
International Rectifier


www.DataSheet.jp    |   2020   |  メール    |   最新    |   Sitemap