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IRF120のメーカーはInchange Semiconductorです、この部品の機能は「N-Channel MOSFET Transistor」です。 |
部品番号 | IRF120 |
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部品説明 | N-Channel MOSFET Transistor | ||
メーカ | Inchange Semiconductor | ||
ロゴ | |||
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INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
IRF120
DESCRIPTION
·Drain Current ID=8A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage-
: VDSS= 100V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) =0.3Ω(Max)
·Nanosecond Switching Speeds
APPLICATIONS
·Switching power supplies
·Motor controls,Inverters and Choppers
·Audio amplifiers and high energy pulse circuits.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE UNIT
VDSS
VGS
ID
Ptot
Tj
Tstg
Drain-Source Voltage (VGS=0)
Gate-Source Voltage
100
±20
V
V
Drain Current-continuous@ TC=25℃ 8 A
Total Dissipation@TC=25℃
40 W
Max. Operating Junction Temperature
150
℃
Storage Temperature Range
-55~150 ℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MAX UNIT
Rth j-c
Rth j-a
Thermal Resistance,Junction to Case
Thermal Resistance,Junction to Ambient
3.12
30
℃/W
℃/W
isc website:www.iscsemi.cn
1 isc & iscsemi is registered trademark
PDF pdfFactory Pro
www.fineprint.cn
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ページ | 合計 : 2 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ IRF120 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
IRF120 | N-CHANNEL POWER MOSFETS | Samsung semiconductor |
IRF120 | 8.0A and 9.2A/ 80V and 100V/ 0.27 and 0.36 Ohm/ N-Channel/ Power MOSFETs | Intersil Corporation |
IRF120 | N-Channel Power MOSFETs/ 11 A/ 60-100 V | Fairchild Semiconductor |
IRF120 | N-Channel MOSFET Transistor | Inchange Semiconductor |