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IRF120 の電気的特性と機能

IRF120のメーカーはInchange Semiconductorです、この部品の機能は「N-Channel MOSFET Transistor」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 IRF120
部品説明 N-Channel MOSFET Transistor
メーカ Inchange Semiconductor
ロゴ Inchange Semiconductor ロゴ 




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IRF120 Datasheet, IRF120 PDF,ピン配置, 機能
INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
IRF120
DESCRIPTION
·Drain Current ID=8A@ TC=25
·Drain Source Voltage-
: VDSS= 100V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) =0.3Ω(Max)
·Nanosecond Switching Speeds
APPLICATIONS
·Switching power supplies
·Motor controls,Inverters and Choppers
·Audio amplifiers and high energy pulse circuits.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE UNIT
VDSS
VGS
ID
Ptot
Tj
Tstg
Drain-Source Voltage (VGS=0)
Gate-Source Voltage
100
±20
V
V
Drain Current-continuous@ TC=258 A
Total Dissipation@TC=25
40 W
Max. Operating Junction Temperature
150
Storage Temperature Range
-55~150
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MAX UNIT
Rth j-c
Rth j-a
Thermal Resistance,Junction to Case
Thermal Resistance,Junction to Ambient
3.12
30
/W
/W
isc websitewww.iscsemi.cn
1 isc & iscsemi is registered trademark
PDF pdfFactory Pro
www.fineprint.cn

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[ IRF120 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
IRF120

N-CHANNEL POWER MOSFETS

Samsung semiconductor
Samsung semiconductor
IRF120

8.0A and 9.2A/ 80V and 100V/ 0.27 and 0.36 Ohm/ N-Channel/ Power MOSFETs

Intersil Corporation
Intersil Corporation
IRF120

N-Channel Power MOSFETs/ 11 A/ 60-100 V

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
IRF120

N-Channel MOSFET Transistor

Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor


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