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PDF D209L Data sheet ( 特性 )
| 部品番号 | D209L |
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| 部品説明 | Silicon NPN Power Transistor | ||
| メーカ | Inchange Semiconductor | ||
| ロゴ |  |
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INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
DESCRIPTION
·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 400V(Min)
·High Switching Speed
·High Reliability
isc Product Specification
D209L
APPLICATIONS
·Switching regulators
·Ultrasonic generators
·High frequency inverters
·General purpose power amplifiers
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
700 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
400 V
VEBO
Emitter-Base voltage
9V
IC Collector Current-Continuous
Collector Power Dissipation
PC @ TC=25℃
TJ Junction Temperature
12 A
100 W
150 ℃
Tstg Storage Temperature Range
-55~150
℃
isc website：www.iscsemi.cn
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| ページ | 合計 : 2 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ D209L.PDF ] | |
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| 部品番号 | 部品説明 | メーカ |
| D2091 | 2SD2091 |  ROHM Semiconductor |
| D2092 | 2SD2092 / KTD2092 |  ETC |
| D2093 | 2SD2093 |  Sanyo |
| D2095 | 2SD2095 |  HItachi |