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2SK2010のメーカーはInchange Semiconductorです、この部品の機能は「N-Channel MOSFET Transistor」です。 |
部品番号 | 2SK2010 |
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部品説明 | N-Channel MOSFET Transistor | ||
メーカ | Inchange Semiconductor | ||
ロゴ | |||
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INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
DESCRIPTION
·Drain Current –ID= 4A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage-
: VDSS=250V(Min)
·Fast Switching Speed
APPLICATIONS
·Switching regulators
·General purpose power amplifier
isc Product Specification
2SK2010
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL ARAMETER
VALUE UNIT
VDSS
Drain-Source Voltage (VGS=0)
VGS Gate-Source Voltage
ID Drain Current-continuous@ TC=25℃
250
±30
4
V
V
A
ID(puls)
Pulsed Drain Current
16 A
Ptot Total Dissipation@TC=25℃
25 W
Tj Max. Operating Junction Temperature 150 ℃
Tstg Storage Temperature Range
-55~150 ℃
·THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MAX UNIT
Rth j-c
Rth j-a
Thermal Resistance, Junction to Case
3.125 ℃/W
Thermal Resistance, Junction to Ambient 62.5 ℃/W
isc website:www.iscsemi.cn
1 isc & iscsemi is registered trademark
PDF pdfFactory Pro
www.fineprint.cn
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PDF ダウンロード | [ 2SK2010 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
2SK2010 | N-Channel Silicon MOSFET | Sanyo Semicon Device |
2SK2010 | N-Channel MOSFET Transistor | Inchange Semiconductor |
2SK2011 | Very High-Speed Switching Applications | Sanyo Semicon Device |
2SK2012 | Very High-Speed Switching Applications | Sanyo Semicon Device |