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1SS184のメーカーはEICです、この部品の機能は「SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE」です。 |
部品番号 | 1SS184 |
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部品説明 | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE | ||
メーカ | EIC | ||
ロゴ | |||
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Certificate TH97/10561QM
Certificate TW00/17276EM
1SS184
PRV : 85 Volts
Io : 100 mA
FEATURES :
* Small package
* Low forward voltage
* Fast reverse recovery time
* Small total capacitance
* Ultra high speed switching application
* Pb / RoHS Free
SILICON EPITAXIAL
PLANAR DIODE
SOT-23
0.19
0.08
1.40
0.95
0.50
0.35
0.100
0.013
3.10
2.70
3
1
2
2.04
1.78
1.02
0.89
3
MECHANICAL DATA :
* Case : SOT-23 plastic Case
* Marking Code : B3
12
Dimensions in millimeters
MAXIMUM RATINGS AND THERMAL CHARACTERISTICS (Ta =25 °C)
Parameter
Maximum Peak Reverse Voltage
Reverse Voltage
Maximum Peak Forward Current
Average Forward Current
Surge Current (10 ms)
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Symbol
VRM
VR
IFM
IF(AV)
IFSM
Ptot
TJ
TSTG
Value
85
80
300
100
2
150
125
-55 to +125
Unit
V
V
mA
mA
A
mW
°C
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta =25 °C)
Parameter
Forward Voltage
Reverse Current
Total Capacitance
Reverse Recovery Time
Test Condition
IF = 1 mA
IF = 10 mA
IF = 100 mA
VR = 30 V
VR = 80 V
VR = 0 V, f = 1 MHz
IR = 10 mA
Symbol
VF
IR
CT
Trr
Min.
-
-
-
-
-
-
-
TYP
0.6
0.72
0.9
-
-
0.9
1.6
Max.
-
-
1.2
0.1
0.5
3
4
Unit
V
µA
pF
ns
Page 1 of 2
Rev. 01 : September 20, 2006
1 Page | |||
ページ | 合計 : 2 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ 1SS184 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
1SS181 | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE | Toshiba Semiconductor |
1SS181 | SWITCHING DIODE | JCET |
1SS181 | Ultra High Speed Switching Diode | WILLAS |
1SS181 | High Speed Switching Diodes | MCC |