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PDF BD951F Data sheet ( 特性 )

部品番号 BD951F
部品説明 Silicon NPN Power Transistor
メーカ Inchange Semiconductor
ロゴ Inchange Semiconductor ロゴ 

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BD951F Datasheet, BD951F PDF,ピン配置, 機能
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
BD949F/951F/953F/955F
DESCRIPTION
·DC Current Gain-
: hFE= 40(Min)@ IC= 500mA
·Complement to Type BD950F/952F/954F/956F
APPLICATIONS
·Designed for power amplifier and switching applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
BD949F
60
VCBO
Collector-Base Voltage
BD951F
BD953F
80
100
V
BD955F
120
BD949F
60
VCEO
BD951F
Collector-Emitter Voltage
BD953F
80
100
V
BD955F
120
VEBO
Emitter-Base Voltage
5V
IC Collector Current-Continuous
5A
ICM Collector Current-Peak
PC
Collector Power Dissipation
@ TC=25
TJ Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
8
22
150
-65~150
A
W
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case
MAX UNIT
8.12 /W
isc websitewww.iscsemi.cn
1

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