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PDF 3DD8E Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 3DD8E | |
| Descripción | Silicon NPN Power Transistor | |
| Fabricantes | Inchange Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
3DD8E
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 150V(Min)
·Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 2V(Max) @IC= 5A
APPLICATIONS
·Designed for power amplifier, low speed switching and
regulated power supply applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
150 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
150 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
5V
IC Collector Current-Continuous
Collector Power Dissipation
PC @ TC=75℃
TJ Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
15 A
100 W
175 ℃
-55~175
℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case
MAX UNIT
1.0 ℃/W
isc website：www.iscsemi.cn
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 3DD8A | Silicon NPN Power Transistor | Inchange Semiconductor |
| 3DD8B | Silicon NPN Power Transistor | Inchange Semiconductor |
| 3DD8C | Silicon NPN Power Transistor | Inchange Semiconductor |
| 3DD8D | Silicon NPN Power Transistor | Inchange Semiconductor |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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