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PDF KTB772 Data sheet ( 特性 )

部品番号 KTB772
部品説明 EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
メーカ KEC
ロゴ KEC ロゴ 

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KTB772 Datasheet, KTB772 PDF,ピン配置, 機能
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER
LOW SPEED SWITCHING
FEATURES
Complementary to KTD882.
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
VCBO
VCEO
Emitter-Base Voltage
VEBO
Collector Current
DC
Pulse (Note)
IC
ICP
Base Current (DC)
IB
Collector Power
Dissipation
Ta=25
Tc=25
PC
Junction Temperature
Tj
Storage Temperature Range
Tstg
Note : Pulse Width 10mS, Duty Cycle 50%.
RATING
-40
-30
-5
-3
-7
-0.6
1.5
10
150
-55 150
UNIT
V
V
V
A
A
W
KTB772
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
A
B
C
H
J
K
D
E
F
G
L
M
O
NP
12 3
1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
MILLIMETERS
8.3 MAX
5.8
0.7
Φ3.2+_ 0.1
3.5
11.0 +_ 0.3
2.9 MAX
1.0 MAX
1.9 MAX
0.75 +_ 0.15
15.50+_ 0.5
2.3 +_ 0.1
0.65 +_ 0.15
1.6
3.4 MAX
TO-126
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
Collector Cut-off Current
Emitter-Cut-off Current
DC Current Gain
*
Collector-Emitter Saturation Voltage *
Base-Emitter Saturation Voltage
*
Current Gain Bandwidth Product
ICBO
IEBO
hFE(1)
hFE(2) (Note)
VCE(sat)
VBE(sat)
fT
VCB=-30V, IE=0
VEB=-3V, IC=0
VCE=-2V, IC=-20mA
VCE=-2V, IC=-1A
IC=-2A, IB=-0.2A
IC=-2V, IB=-0.2A
VCE=-5V, IC=-0.1A
Collector Output Capacitance
Cob VCB=-10V, IE=0, f=1MHz
* Pulse Test : Pulse Width 350 S, Duty Cycle 2% Pulsed
Note: hFE(2) Classification O:100 200 , Y:160 320 , GR:200 400
MIN.
-
-
30
100
-
-
-
-
TYP.
-
-
220
160
-0.3
-1.0
80
55
MAX.
-1
-1
-
400
-0.5
-2.0
-
-
UNIT
A
A
V
V
MHz
pF
2003. 7. 24
Revision No : 4
1/3

1 Page







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部品番号部品説明メーカ
KTB772

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER LOW SPEED SWITCHING)

KEC(Korea Electronics)
KEC(Korea Electronics)
KTB772

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

KEC
KEC
KTB778

Silicon PNP Power Transistors

Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
KTB778

TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR

KEC
KEC


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