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KTA1281 の電気的特性と機能

KTA1281のメーカーはKECです、この部品の機能は「EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 KTA1281
部品説明 EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
メーカ KEC
ロゴ KEC ロゴ 




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KTA1281 Datasheet, KTA1281 PDF,ピン配置, 機能
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
POWER AMPLIFIER APPLICATIONS.
POWER SWITCHING APPLICATIONS.
FEATURES
Low Collector Saturation Voltage
: VCE(sat)=-0.5V(Max.) (IC=-1A)
High Speed Switching Time : tstg=1.0 S(Typ.)
Complementary to KTC3209.
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
Storage Temperature Range
Tstg
RATING
-50
-50
-5
-2
1
150
-55 150
UNIT
V
V
V
A
W
KTA1281
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
BD
P
DEPTH:0.2
C
Q
K
FF
HH
M EM
123
HL
NN
1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE
DIM MILLIMETERS
A 7.20 MAX
B 5.20 MAX
S C 0.60 MAX
D 2.50 MAX
E 1.15 MAX
F 1.27
G 1.70 MAX
H 0.55 MAX
J 14.00+_ 0.50
HK
L
0.35 MIN
0.75+_ 0.10
M4
N 25
O 1.25
P Φ1.50
Q 0.10 MAX
R 12.50 +_ 0.50
S 1.00
TO-92L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
Collector-Emitter Breakdown Voltage
DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
Transition Frequency
Collector Output Capacitance
ICBO
IEBO
V(BR)CEO
hFE (1)(Note)
hFE (2)
VCE(sat)
VBE(sat)
fT
Cob
TEST CONDITION
VCB=-50V, IE=0
VEB=-5V, IC=0
IC=-10mA, IB=0
VCE=-2V, IC=-0.5A
VCE=-2V, IC=-1.5A
IC=-1A, IB=-0.05A
IC=-1A, IB=-0.05A
VCE=-2V, IC=-0.5A
VCB=-10V, IE=0, f=1MHz
Turn-on Time
ton
Switching
Time
Storage Time
tstg
Fall Time
tf
Note : hFE Classification 0:70 140, Y:120 240
20µs
IB1
I B2
INPUT IB2
-IB1=IB2=0.05A
DUTY CYCLE =< 1%
IB1
OUTPUT
VCC =-30V
MIN.
-
-
-50
70
40
-
-
-
-
-
TYP.
-
-
-
-
-
-
-
100
40
MAX.
-0.1
-0.1
-
240
-
-0.5
-1.2
-
-
UNIT
A
A
V
V
V
MHz
pF
0.1 -
- 1.0 -
S
- 0.1 -
1996. 10. 11
Revision No : 0
1/3

1 Page





KTA1281 pdf, ピン配列
KTA1281
VCE(sat) - I C
-1
COMMON EMITTER
-0.5 I C/I B=20
-0.3
-0.1
-0.05
-0.03
Ta=100 C
Ta=-55 C
Ta=25 C
-0.01
-0.01 -0.03 -0.1 -0.3 -1
COLLECTOR CURRENT I C (A)
-3
I C - V BE
-2.0
COMMON EMITTER
VCE =-2V
-1.5
-1.0
-0.5
0
0 -0.4 -0.8 -1.2 -1.6 -2.0
BASE-EMITTER VOLTAGE VBE (V)
1200
1000
800
600
400
200
0
0
PC - Ta
40 80 120 160
AMBIENT TEMPERATURE Ta ( C)
200
VBE(sat) - I C
-1
COMMON EMITTER
-0.5 IC/IB=20
-0.3
-0.1
-0.05
-0.03
Ta=-55 C
Ta=100 C
Ta=25 C
-0.01
-0.01 -0.03 -0.1 -0.3 -1
COLLECTOR CURRENT I C (A)
-3
SAFE OPERATING AREA
-5
-3
-1
-0.5
-0.3
IC MAX.(PULSED) *
IC MAX.(CONOTPIDENRCUAOTIUOSN1s)T*a=2510C100mmSS**
-0.1
* SINGLE
NONREPETITIVE
-0.05
-0.03
PULSE Ta=25 C
CURVES MUST BE
DERATED LINEARLY WITH
INCREASE IN TEMPERATURE
-0.01
-0.2 -0.5 -1
-3 -10
*
-30
-100
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)
1996. 10. 11
Revision No : 0
3/3


3Pages





ページ 合計 : 3 ページ
 
PDF
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[ KTA1281 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
KTA1281

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

KEC
KEC
KTA1282

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

KEC
KEC
KTA1283

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

KEC
KEC


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