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KTA2017のメーカーはKECです、この部品の機能は「EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR」です。 |
部品番号 | KTA2017 |
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部品説明 | EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR | ||
メーカ | KEC | ||
ロゴ | |||
このページの下部にプレビューとKTA2017ダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。 Total 2 pages
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION.
FEATURES
High Voltage : VCEO=-120V.
Excellent hFE Linearity
: hFE(0.1mA)/hFE(2mA)=0.95(Typ.).
High hFE: hFE=200 700.
Low Noise : NF=1dB(Typ.), 10dB(Max.).
Complementary to KTC4077.
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Base Current
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
VCBO
VCEO
VEBO
IC
IB
PC
Tj
Storage Temperature Range
Tstg
RATING
-120
-120
-5
-100
-20
100
150
-55 150
UNIT
V
V
V
mA
mA
mW
KTA2017
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
E
MB
M
2
1
NK
DIM MILLIMETERS
DA
B
2.00+_ 0.20
1.25 +_ 0.15
C 0.90 +_ 0.10
3
D 0.3+0.10/-0.05
E 2.10 +_ 0.20
G 0.65
H 0.15+0.1/-0.06
J 1.30
K 0.00-0.10
L 0.70
H M 0.42+_ 0.10
N 0.10 MIN
N
1. EMITTER
2. BASE
3. COLLECTOR
USM
Marking
hFE Rank
Type Name
C
Lot No.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
Collector Cut-off Current
ICBO
VCB=-120V, IE=0
Emitter Cut-off Current
IEBO
VEB=-5V, IC=0
DC Current Gain
hFE (Note) VCE=-6V, IC=-2mA
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=-10mA, IB=-1mA
Transition Frequency
fT VCE=-6V, IC=-1mA
Collector Output Capacitance
Cob VCB=-10V, IE=0, f=1MHz
Noise Figure
VCE=-6V, IC=-0.1mA
NF
f=1kHz, Rg=10k
Note : hFE Classification GR(6):200 400 BL(8):350 700
MIN.
-
-
200
-
-
-
TYP.
-
-
-
-
100
4.0
MAX.
-0.1
-0.1
700
-0.3
-
-
UNIT
A
A
V
MHz
pF
- 1.0 10 dB
2008. 8. 29
Revision No : 4
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ページ | 合計 : 2 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ KTA2017 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
KTA2012E | EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR | KEC |
KTA2012V | EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR | KEC |
KTA2014 | EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR | KEC |
KTA2014E | EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR | KEC |