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3DD102BのメーカーはInchange Semiconductorです、この部品の機能は「Silicon NPN Power Transistor」です。 |
部品番号 | 3DD102B |
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部品説明 | Silicon NPN Power Transistor | ||
メーカ | Inchange Semiconductor | ||
ロゴ | |||
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INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
3DD102B
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 150V(Min.)
·DC Current Gain-
: hFE= 20(Min.)@IC= 2A
·Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 0.8V(Max)@ IC= 2.5A
APPLICATIONS
·Designed for power amplifier,DC-DC converter and regulated
power supply applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
200 V
VCEO Collector-Emitter Voltage
150 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
4V
IC Collector Current-Continuous
5A
PC Collector Power Dissipation@TC=75℃ 50
W
TJ Junction Temperature
175 ℃
Tstg Storage Temperature
-55~175 ℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case
MAX UNIT
2.0 ℃/W
isc website:www.iscsemi.cn
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PDF ダウンロード | [ 3DD102B データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
3DD102 | NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor | Shaanxi Qunli Electric |
3DD102 | Silicon NPN Power Transistor | Inchange Semiconductor |
3DD102 | (3DD101 / 3DD102) NPN | ETC |
3DD102A | Silicon NPN Power Transistor | Inchange Semiconductor |