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PDF 2SC5463 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 2SC5463 | |
| Descripción | Silicon NPN RF Transistor | |
| Fabricantes | Inchange Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN RF Transistor
isc RF Product Specification
2SC5463
DESCRIPTION
·Low Noise Figure
NF = 1.1 dB TYP. @VCE = 8 V, IC = 5 mA, f = 1 GHz
·High Gain
︱S21e︱2 = 12 dB TYP. @VCE = 8 V, IC = 15 mA, f = 1 GHz
APPLICATIONS
·Designed for use in VHF~ UHF band low noise amplifier.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO Collector-Base Voltage
VCEO Collector-Emitter Voltage
VEBO
Emitter-Base Voltage
IC Collector Current-Continuous
PC
Collector Power Dissipation
@TC=25℃
TJ Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
20 V
12 V
3V
60 mA
0.1 W
125 ℃
-55~125
℃
isc website：www.iscsemi.cn
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 2SC5460 | Silicon NPN Triple Diffused Type TRANSISTOR |  Toshiba Semiconductor |
| 2SC5463 | Silicon NPN Epitaxial Planar Type Transistor | Toshiba Semiconductor |
| 2SC5463 | Silicon NPN RF Transistor | Inchange Semiconductor |
| 2SC5463 | Trans GP BJT NPN 12V 0.06A 3-Pin USM |  New Jersey Semiconductor |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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