DataSheet.jp

TMAN23N50 の電気的特性と機能

TMAN23N50のメーカーはTRinnoです、この部品の機能は「N-channel MOSFET」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 TMAN23N50
部品説明 N-channel MOSFET
メーカ TRinno
ロゴ TRinno ロゴ 




このページの下部にプレビューとTMAN23N50ダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。
Total 5 pages

No Preview Available !

TMAN23N50 Datasheet, TMAN23N50 PDF,ピン配置, 機能
Features
Low gate charge
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
RoHS compliant
JEDEC Qualification
BVDSS
500V
TMAN23N50
N-channel MOSFET
ID RDS(on)MAX
23A <0.22W
D
Device
TMAN23N50
Package
TO-3PN
G
Marking
TMAN23N50
S
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current (Note 1)
TC = 25
TC = 100
Single Pulse Avalanche Energy (Note 2)
Repetitive Avalanche Current (Note 1)
Repetitive Avalanche Energy (Note 1)
Power Dissipation
TC = 25
Derate above 25
Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3)
Operating Junction and Storage Temperature Range
Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8” from case for 5 seconds
* Limited only by maximum junction temperature
Symbol
VDS
VGS
ID
IDM
EAS
IAR
EAR
PD
dv/dt
TJ, TSTG
TL
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Thermal resistance, Junction-to-Case
Maximum Thermal resistance, Junction-to-Ambient
Symbol
RqJC
RqJA
April 2014 : Rev 0.1
www.trinnotech.com
TMAN23N50
500
±30
23
14.5
92
970
23
34.7
347
2.77
4.5
-55~150
300
TMAN23N50
0.36
62.5
Remark
RoHS
Unit
V
V
A
A
A
mJ
A
mJ
W
W/
V/ns
Unit
/W
/W
1/5

1 Page





TMAN23N50 pdf, ピン配列
80
Top V =15.0V
70
GS
10.0V
8.0V
60 7.0V
6.5V
6.0V
50 Bottom 5.0V
40
30
20
10
0
05
1. T = 25
C
2. 250μs Pulse Test
10 15 20 25 30
Drain-Source Voltage, V [V]
DS
100
V = 30V
DS
250 μs Pulse Test
10
150
25
1
TMAN23N50
-55
0.1
02468
Gate-Source Voltage, V [V]
GS
0.5
T = 25
J
0.4
0.3
0.2
V = 10V
GS
V = 20V
GS
0.1
0.0
0
10 20 30 40 50 60 70 80
Drain Current,I [A]
D
120
100
V = 0V
GS
250μs Pulse Test
80
60 150
25
40
20
0
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
Source-Drain Voltage, V [V]
SD
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
10-1
C = C + C (C = shorted)
iss gs gd ds
C =C +C
oss ds gd
C =C
rss gd
C
iss
V =0V
GS
f = 1 MHz
C
oss
C
rss
100 101
Drain-Source Voltage, V [V]
DS
12
I = 23A
D
10
V = 100V
DS
8 V = 250V
DS
V = 400V
6 DS
4
2
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80
Total Gate Charge, Q [nC]
G
April 2014 : Rev 0.1
www.trinnotech.com
3/5


3Pages





ページ 合計 : 5 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ TMAN23N50 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


共有リンク

Link :


部品番号部品説明メーカ
TMAN23N50

N-channel MOSFET

TRinno
TRinno
TMAN23N50A

N-channel MOSFET

TRinno
TRinno


www.DataSheet.jp    |   2020   |  メール    |   最新    |   Sitemap