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TMD2N60ZG の電気的特性と機能

TMD2N60ZGのメーカーはTRinnoです、この部品の機能は「N-channel MOSFET」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 TMD2N60ZG
部品説明 N-channel MOSFET
メーカ TRinno
ロゴ TRinno ロゴ 




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TMD2N60ZG Datasheet, TMD2N60ZG PDF,ピン配置, 機能
Features
Low gate charge
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
RoHS compliant
Halogen free package
JEDEC Qualification
D-PAK
TMD2N60Z(G)/TMU2N60Z(G)
BVDSS
600V
N-channel MOSFET
ID RDS(on)MAX
2A <4.0W
I-PAK
Device
TMD2N60Z / TMU2N60Z
TMD2N60ZG / TMU2N60ZG
Package
D-PAK/I-PAK
D-PAK/I-PAK
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current (Note 1)
TC = 25
TC = 100
Single Pulse Avalanche Energy (Note 2)
Repetitive Avalanche Current (Note 1)
Repetitive Avalanche Energy (Note 1)
Power Dissipation
TC = 25
Derate above 25
Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3)
Operating Junction and Storage Temperature Range
Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8” from case for 5 seconds
* Limited only by maximum junction temperature
Marking
TMD2N60Z / TMU2N60Z
TMD2N60ZG / TMU2N60ZG
Remark
RoHS
Halogen Free
Symbol
VDSS
VGS
ID
IDM
EAS
IAR
EAR
PD
dv/dt
TJ, TSTG
TL
TMD2N60Z(G)/TMU2N60Z(G)
600
±30
2
1.4
8
128
2
5.2
52
0.416
4.5
-55~150
300
Unit
V
V
A
A
A
mJ
A
mJ
W
W/
V/ns
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Thermal resistance, Junction-to-Case
Maximum Thermal resistance, Junction-to-Ambient
Symbol
RqJC
RqJA
May 2012 : Rev0
www.trinnotech.com
TMD2N60Z(G)/TMU2N60Z(G)
2.4
110
Unit
/W
/W
1/6

1 Page





TMD2N60ZG pdf, ピン配列
4
Top V =15.0V
GS
10.0V
9.0V
3 8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
2 Bottom 4.0V
1
1. T = 25
C
2. 250μs Pulse Test
0
0 5 10 15 20
Drain-Source Voltage, V [V]
DS
TMD2N60Z(G)/TMU2N60Z(G)
V = 30V
DS
250 μs Pulse Test
10
150
25
1
-55
0.1
2468
Gate-Source Voltage, V [V]
GS
10
8
T = 25
J
6
4
2
0
01
V = 10V
GS
V = 20V
GS
234
Drain Current,I [A]
D
5
6
8
V = 0V
GS
250μs Pulse Test
6
4
150
25
2
0
0.0 0.3 0.6 0.9 1.2
Source-Drain Voltage, V [V]
SD
1.5
800
600
400
200
C = C + C (C = shorted)
iss gs gd ds
C =C +C
oss ds gd
C =C
rss gd
C
iss
V =0V
GS
f = 1 MHz
C
oss
C
rss
12
I = 2.0A
D
10
8
6
4
2
0
10-1 100 101
Drain-Source Voltage, V [V]
DS
0
02
May 2012 : Rev0
www.trinnotech.com
V = 300V
DS
V = 120V
DS
V = 480V
DS
468
Total Gate Charge, Q [nC]
G
10 12
3/6


3Pages


TMD2N60ZG 電子部品, 半導体
TMD2N60Z(G)/TMU2N60Z(G)
TO-251 (I-PAK) MECHANICAL DATA
May 2012 : Rev0
www.trinnotech.com
6/6

6 Page



ページ 合計 : 6 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ TMD2N60ZG データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
TMD2N60Z

N-channel MOSFET

TRinno
TRinno
TMD2N60ZG

N-channel MOSFET

TRinno
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