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MMBTA13 の電気的特性と機能

MMBTA13のメーカーはWEITRONです、この部品の機能は「NPN Transistors Darlington Amplifier」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 MMBTA13
部品説明 NPN Transistors Darlington Amplifier
メーカ WEITRON
ロゴ WEITRON ロゴ 




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MMBTA13 Datasheet, MMBTA13 PDF,ピン配置, 機能
MMBTA13
MMBTA14
NPN Transistors Darlington Amplifier
COLLECTOR 3
BASE
1
MAXIMUM R ATING S
R ating
C ollector- E mitter Voltage
C ollector- B as e Voltage
E mitter- B as e Voltage
C ollector C urrent - C ontinuous
THE R MAL C HAR AC TE R IS TIC S
C harac teris tic
Total Device Dis s ipation F R ±5 B oard(1)
TA = 25 C
Derate above 25 C
T hermal R es is tance J unction to Ambient
Total Device Dis s ipation
Alumina S ubs trate,(2) TA = 25 C
Derate above 25 C
T hermal R es is tance J unction to Ambient
J unction and S torage Temperature
DE VIC E MAR K ING
MMB TA13 = 1M; MMB T A14LT 1 = 1N
S ymbol
VCES
VCBO
VEBO
IC
S ymbol
PD
R JA
PD
R qJA
T J , Ts tg
Value
30
30
10
300
Max
225
1.8
556
300
2.4
417
- 55 to +150
Unit
V dc
V dc
V dc
mAdc
Unit
mW
mW/ C
C /W
mW
mW/ C
C /W
C
E L E C T R IC A L C HA R A C T E R IS T IC S (TA = 25 C unless otherwise noted)
C harac teris tic
OFF C HAR AC TE R IS TIC S
C ollector- E mitter B reakdown Voltage
(IC = 100 uAdc, V B E = 0)
C ollector C utoff C urrent
(V C B = 30 V dc, IE = 0)
E mitter C utoff C urrent
(V E B = 10 V dc, IC = 0)
1. F R - 5 = 1.0 0.75 0.062 in.
2. Alumina = 0.4 0.3 0.024 in. 99.5% alumina.
S ymbol
Min
V(BR )CE S
IC BO
IE BO
30
-
-
EMITTER 2
3
1
2
S OT-23
Max Unit
- V dc
100 nAdc
100 nAdc
WEITRON
http://www.weitron.com.tw

1 Page





MMBTA13 pdf, ピン配列
MMBTA13
MMBTA14
200
100 BANDWIDTH = 10 Hz TO 15.7 kHz
70 IC = 10 mA
50
30 100mA
20
1.0 mA
14
12
10
8.0
6.0
4.0 IC = 1.0 mA
2.0
BANDWIDTH = 10 Hz TO 15.7 kHz
10 mA
100 mA
10
1.0 2.0
5.0 10 20
50 100 200
RS, SOURCE RESISTANCE (kW)
500 1000
F IG .4 Total Wideband Nois e Voltage
0
1.0 2.0
5.0 10 20 50 100 200
RS, SOURCE RESISTANCE (kW)
500 1000
FIG.5 W ideband Nois e Figure
20 4.0
VCE = 5.0 V
10
TJ = 25 C
f = 100 MHz
2.0 TJ = 25 C
7.0 Cibo 1.0
5.0
Cobo
0.8
0.6
3.0 0.4
2.0
0.04
0.1 0.2 0.4 1.0 2.0 4.0 10 20 40
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
F IG .6 C apac itanc e
0.2
0.5
1.0 2.0 0.5 10 20 50 100 200
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
FIG.7 High Frequency C urrent Gain
500
200 k
100 k
70 k
50 k
TJ = 125 C
25 C
30 k
20 k
10 k
7.0 k
5.0 k
- 55 C
3.0 k
VCE = 5.0 V
2.0 k
5.0 7.0 10
20 30 50 70 100 200 300
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
FIG.8 DC C urrent Gain
500
3.0
2.5
IC = 10 mA 50 mA
2.0
TJ = 25 C
250 mA 500 mA
1.5
1.0
0.5
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000
IB, BASE CURRENT (mA)
F IG .9 C ollec tor S aturation R egion
WEITRON
http://www.weitron.com.tw


3Pages





ページ 合計 : 5 ページ
 
PDF
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[ MMBTA13 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
MMBTA13

Silicon NPN transistor

BLUE ROCKET ELECTRONICS
BLUE ROCKET ELECTRONICS
MMBTA13

NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR

TRSYS
TRSYS
MMBTA13

NPN (DARLINGTON AMPLIFIER TRANSISTOR)

Samsung
Samsung
MMBTA13

NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR

Diodes Incorporated
Diodes Incorporated


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