DataSheet.jp

IS49NLS96400 PDF Datasheet ( 特性, スペック, ピン接続図 )

部品番号 IS49NLS96400
部品説明 Separate I/O RLDRAM 2 Memory
メーカ Integrated Silicon Solution
ロゴ Integrated Silicon Solution ロゴ 



Total 30 pages
		

No Preview Available !

IS49NLS96400 Datasheet, IS49NLS96400 PDF,ピン配置, 機能
IS49NLS96400,IS49NLS18320
576Mb (x9, x18) Separate I/O RLDRAM 2 Memory 
 
FEATURES 
ADVANCED INFORMATION
JULY 2012
533MHz DDR operation (1.067 Gb/s/pin data 
rate) 
38.4 Gb/s peak bandwidth (x18 Separate I/O at 
533 MHz clock frequency) 
Reduced cycle time (15ns at 533MHz) 
32ms refresh (16K refresh for each bank; 128K 
refresh command must be issued in total each 
32ms) 
8 internal banks 
Nonmultiplexed addresses (address 
multiplexing option available) 
SRAMtype interface 
Programmable READ latency (RL), row cycle 
time, and burst sequence length 
Balanced READ and WRITE latencies in order to 
optimize data bus utilization 
 
Data mask signals (DM) to mask signal of 
WRITE data; DM is sampled on both edges of 
DK. 
Differential input clocks (CK, CK#) 
Differential input data clocks (DKx, DKx#) 
Ondie DLL generates CK edgealigned data and 
output data clock signals 
Data valid signal (QVLD) 
HSTL I/O (1.5V or 1.8V nominal) 
2560Ω matched impedance outputs 
2.5V VEXT, 1.8V VDD, 1.5V or 1.8V VDDQ I/O 
Ondie termination (ODT) RTT 
IEEE 1149.1 compliant JTAG boundary scan 
Operating temperature: 
Commercial 
(TC =  to +95°C; TA = 0°C to +70°C), 
Industrial 
(TC = ‐40°C to +95°C; TA = ‐40°C to +85°C)
OPTIONS 
Package: 
144ball FBGA (leaded) 
144ball FBGA (leadfree) 
Configuration: 
64Mx9 
32Mx18 
Clock Cycle Timing: 
Speed Grade 
18 
25E  ‐25  ‐33  Unit 
tRC  15  15  20  20  ns 
tCK  1.875  2.5  2.5  3.3  ns 
 
Copyright © 2012 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time without 
notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the 
latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products. 
 
Integrated Silicon Solution, Inc. does not recommend the use of any of its products in life support applications where the failure or malfunction of the product can 
reasonably  be  expected  to  cause  failure  of  the  life  support  system  or  to  significantly  affect  its  safety  or  effectiveness.  Products  are  not  authorized  for  use  in  such 
applications unless Integrated Silicon Solution, Inc. receives written assurance to its satisfaction, that: 
a.) the risk of injury or damage has been minimized; 
b.) the user assume all such risks; and 
c.) potential liability of Integrated Silicon Solution, Inc is adequately protected under the circumstances 
 
RLDRAM is a registered trademark of Micron Technology, Inc. 
Integrated Silicon Solution, Inc. – www.issi.com –
Rev. 00E, 06/20/2012
1

1 Page





ページ 合計 : 30 ページ
PDF
ダウンロード
[ IS49NLS96400.PDF ]

共有リンク

Link :

おすすめデータシート

部品番号部品説明メーカ
IS49NLS96400

Separate I/O RLDRAM 2 Memory

Integrated Silicon Solution
Integrated Silicon Solution
IS49NLS96400A

Separate I/O RLDRAM 2 Memory

Integrated Silicon Solution
Integrated Silicon Solution

www.DataSheet.jp    |   2019   |  メール    |   最新    |   Sitemap