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K2900-01 の電気的特性と機能

K2900-01のメーカーはFuji Electricです、この部品の機能は「N-channel MOS-FET」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 K2900-01
部品説明 N-channel MOS-FET
メーカ Fuji Electric
ロゴ Fuji Electric ロゴ 




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K2900-01 Datasheet, K2900-01 PDF,ピン配置, 機能
> Features
- High Current
- Low On-Resistance
- No Secondary Breakdown
- Low Driving Power
- Avalanche Rated
2SK2900-01
FAP-IIIB Series
N-channel MOS-FET
60V 14,5m±45A 60W
> Outline Drawing
> Applications
- Motor Control
- General Purpose Power Amplifier
- DC-DC converters
> Maximum Ratings and Characteristics
- Absolute Maximum Ratings (TC=25°C), unless otherwise specified
Item
Symbol
Rating
Drain-Source-Voltage
Continous Drain Current
Pulsed Drain Current
Gate-Source-Voltage
Maximum Avalanche Energy
Max. Power Dissipation
Operating and Storage Temperature Range
V DS
ID
I D(puls)
V GS
E AV
PD
T ch
T stg
60
±45
±180
±30
461.9
60
150
-55 ~ +150
* L=0,304mH, VCC=24V
Unit
V
A
A
V
mJ*
W
°C
°C
- Electrical Characteristics (TC=25°C), unless otherwise specified
Item
Symbol
Test conditions
Drain-Source Breakdown-Voltage
BV DSS
ID=1mA
VGS=0V
Gate Threshhold Voltage
V GS(th)
ID=10mA
VDS=VGS
Zero Gate Voltage Drain Current
I DSS
VDS=60V
Tch=25°C
VGS=0V
Tch=125°C
Gate Source Leakage Current
I GSS
VGS=30V
VDS=0V
Drain Source On-State Resistance
R DS(on)
ID=22.5A
VGS=10V
Forward Transconductance
g fs
ID=22.5A
VDS=25V
Input Capacitance
C iss
VDS=25V
Output Capacitance
C oss
VGS=0V
Reverse Transfer Capacitance
C rss
f=1MHz
Turn-On-Time ton (ton=td(on)+tr)
Turn-Off-Time toff (ton=td(off)+tf)
t d(on)
tr
t d(off)
VCC=30V
VGS=10V
ID=45A
Avalanche Capability
t f RGS=10
I AV L = 100µH Tch=25°C
Diode Forward On-Voltage
V SD
IF=45A VGS=0V Tch=25°C
Reverse Recovery Time
t rr IF=45A VGS=0V
Reverse Recovery Charge
Q rr -dI/dt=100A/µs Tch=25°C
Min.
60
2,5
10
45
Typ.
3
10
0,2
10
12,0
25
2300
910
260
18
55
70
48
1,0
60
0,11
Max.
3,5
500
1,0
100
14,5
3450
1370
390
30
80
120
80
1,5
Unit
V
V
µA
mA
nA
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
A
V
ns
µC
- Thermal Characteristics
Item
Thermal Resistance
R th(ch-c)
R th(ch-a)
Symbol
channel to case
channel to ambient
Min. Typ. Max. Unit
2,08 °C/W
75,00 °C/W

1 Page





K2900-01 pdf, ピン配列
N-channel MOS-FET
60V 14,5m±45A 60W
> Characteristics
2SK2900-01
FAP-IIIB Series
Typical Switching Characteristics
t=f(ID): VCC = 30V, VGS = 10V, RG = 10
VSD [V]
125
100
75
50
25
0
0
Power Dissipation
PD=f(TC)
25 50 75 100 125 150
TC [°C]
120
100
80
60
40
20
0
0
Maximum Avalanche Current vs. starting Tch
IAV=f(starting Tch)
25 50 75 100 125
starting Tch [°C]
150
This specification is subject to change without notice!


3Pages





ページ 合計 : 3 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ K2900-01 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
K2900-01

N-channel MOS-FET

Fuji Electric
Fuji Electric


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