|
|
CTLSH01-30のメーカーはCentral Semiconductorです、この部品の機能は「SURFACE MOUNT SILICON SCHOTTKY DIODES」です。 |
部品番号 | CTLSH01-30 |
| |
部品説明 | SURFACE MOUNT SILICON SCHOTTKY DIODES | ||
メーカ | Central Semiconductor | ||
ロゴ | |||
このページの下部にプレビューとCTLSH01-30ダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。 Total 2 pages
CTLSH01-30
SURFACE MOUNT
SILICON SCHOTTKY DIODE
TLM2D3D6 CASE
APPLICATIONS:
• DC - DC Converters
• Voltage Clamping
• Protection Circuits
• Battery powered applications including
Cell Phones, Digital Cameras, Pagers,
PDAs, Laptop Computers, etc.
MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C)
Peak Repetitive Reverse Voltage
Average Forward Current
Peak Forward Surge Current, tp=8.3ms
Power Dissipation
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Thermal Resistance
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLSH01-30 is a
high quality Schottky Diode designed for applications
where ultra small size and power dissipation are
prime requirements. Packaged in a Ultra Tiny
Leadless Package™, TLP™, this component provides
performance characteristics suitable for the most
demanding size constrained applications.
MARKING CODE: C
FEATURES:
• Current (IO=100mA)
• Low Forward Voltage Drop (VF=0.41V TYP @ 10mA)
• Low Reverse Current (30nA TYP @ 10V)
• Ultra Small, Ultra Low Profile 0.3mm x 0.6mm x 0.3mm
TLP™ Leadless Surface Mount package
SYMBOL
VRRM
IO
IFSM
PD
TJ
Tstg
ΘJA
30
100
500
100
-65 to +125
-65 to +150
1000
UNITS
V
mA
mA
mW
°C
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL TEST CONDITIONS
MIN TYP
IR
BVR
VF
CT
VR=10V
IR=100µA
IF=10mA
VR=0, f=1.0MHz
30
30
0.41
7.0
MAX
300
0.46
UNITS
nA
V
V
pF
R3 (20-April 2011)
1 Page | |||
ページ | 合計 : 2 ページ | ||
|
PDF ダウンロード | [ CTLSH01-30 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
CTLSH01-30 | SURFACE MOUNT SILICON SCHOTTKY DIODES | Central Semiconductor |
CTLSH01-30L | SURFACE MOUNT SILICON LOW VF SCHOTTKY DIODE | Central Semiconductor |