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DG2N60 の電気的特性と機能
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DG2N60のメーカーはJiangsu Dongguangです、この部品の機能は「FET」です。 |
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製品の詳細 ( Datasheet PDF )
| 部品番号 DG2N60 |
| 部品説明 FET |
| メーカ Jiangsu Dongguang |
ロゴ |
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江苏东光微电子股份有限公司
Jiangsu Dongguang Micro-electronics Co.,Ltd
www.jsdgme.com
○R 产 品 规 格 书
产 品 名 称: 场效应晶体管
产 品 型 号: DG2N60
Establishment: 冯 军
Verification ： 陈 夕 宁
ISSUE DATE: 2009-02-18
VD-MOS：DG2N60
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江苏东光微电子股份有限公司
Jiangsu Dongguang Micro-electronics Co.,Ltd
www.jsdgme.com
DG2N60
■ 电参数 除非另有规定，TC= 25℃
参数名称
符号
测试条件
漏源击穿电压
通态电阻
阈值电压
漏源漏电流
源栅漏电流
VDSS
RDS（ON）
VGS（TH）
IDSS
IGSS
VGS=0V, ID=250 uA
VGS=10V, ID=1.2A
VDS= VGS, ID=250uA
VDS=600V ,VGS=0V
VDS=480V ,TC=125℃
VGS = ± 30V,VDS=0V
规范值
最小 典型 最大
600
3.7 4.7
2.0 5.0
10
100
±100
转-上延迟时间
td(on)a
上升时间
转-下延迟时间
tr
td(off)a
VDD=300V,ID=2.4A
RG=25Ω
下降时间
向前跨导
反向传输电容
输出电容
输入电容
tf
gfs
Crss
Coss
Ciss
VDS=50V，ID=1.2A
VGS=0V,VDS=25V,
f=1.0MHZ
总闸电荷
栅源电荷
栅--漏 极 电 荷
Qg
Qgs
VDS= 480V，VGS=10V，
ID= 2.4A
Qgd
连续电源电流
脉冲电源电流
I S Integral reverse pn-diode
ISM in the MOSFET
二极管正向电压
VSD
IS=2.4A,VGS=0V
反向恢复时间
反向恢复电荷
t rr IS=2.4A,VGS=0V,
Q rr dIF/dt=100A/μs
a:脉冲测试 tp≤300μs,δ≤2%
10 30
25 60
20 50
25 60
2.45
57
40 50
270 350
9 11
1.6
4.3
2.4
9.6
1.4
180
0.72
单位
V
Ω
V
μA
nA
ns
S
pF
nC
A
V
ns
μC
VD-MOS：DG2N60
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江苏东光微电子股份有限公司
Jiangsu Dongguang Micro-electronics Co.,Ltd
■ Test Circuit and Waceform
栅电荷测试电路及波形
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DG2N60
电阻测试开关电路与波形
电感式开关试验回路及波形
VD-MOS：DG2N60
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合計 : 11 ページ |
| PDF ダウンロード [ DG2N60 データシート.PDF ] |
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データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
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| 部品番号 | 部品説明 | メーカ |
| DG2N60 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |  DGME |
| DG2N60 | FET | Jiangsu Dongguang |
| DG2N65 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | DGME |