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DG2N60 の電気的特性と機能
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DG2N60のメーカーはDGMEです、この部品の機能は「N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET」です。 |
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製品の詳細 ( Datasheet PDF )
| 部品番号 DG2N60 |
| 部品説明 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| メーカ DGME |
ロゴ |
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DG2N60
N 沟道增强型场效应晶体管
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
版本号：V1.0
产品概述 General Description
DG2N60是N沟道增强型场效应晶体管，应用了东光微电的相关专利技术，采用自对准平
面工艺及先进的终端耐压技术，降低了导通损耗，提高了开关特性，增强了雪崩耐量。该
产品能应用于多种功率开关电路，使得电源能效更高，系统更加小型化。
DG2N60 is an N-channel enhancement mode MOSFET, which is produced using Dongguang Micro-electronics’s
proprietary. The self-aligned planar process and improved terminal technology reduce the conduction loss, improve
switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching
circuit for higher efficiency and system miniaturization.
主要参数 MAINCHARACTERISTICS
VDSS
ID
RDS(ON)
Crss
600
2
4.7
8.0
V
A
Ω
pF
符号 Symbol
封装 Package
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1 Page
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
关断特性 Off-Characteristics
参数名称
Parameter
漏极-源极击穿电压
Drain-Source Breakdown Voltage
击穿电压温度特性
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
符号
Symbol
BVDSS
△
BVDSS/
△TJ
零栅压下漏极漏电流
Zero Gate Voltage Drain Current
IDSS
正向栅极体漏电流
Gate-body leakage current, forward
反向栅极体漏电流
Gate-body leakage current, reverse
IGSSF
IGSSR
测试条件
Tests Conditions
ID=250µA, VGS=0V
ID=250µA, referenced to
25℃
VDS=600V,VGS=0V, TC=25℃
VDS=480V, TC=125℃
VDS=0V, VGS =30V
VDS=0V, VGS = -30V
最小
Min
600
-
-
-
-
-
典型 最大 单位
Type Max Unit
- -V
0.7 - V/℃
-1
µA
- 10
- 100 nA
- -100 nA
通态特性 On-Characteristics
参数名称
Parameter
阈值电压
Gate Threshold Voltage
静态导通电阻
Static Drain-Source On-Resistance
正向跨导
Forward Transconductance
符号
Symbol
VGS(th)
RDS(ON)
gfs
测试条件
Tests Conditions
VDS = VGS , ID=250µA
VGS=10V , ID=1.0A
VDS = 40V, ID=1.0A (note4)
最小
Min
2.0
典型 最大 单位
Type Max Unit
- 4.0 V
- 3.7 4.7 Ω
- 2.0 - S
动态特性 Dynamic Characteristics
参数名称
Parameter
输入电容
Input capacitance
输出电容
Output capacitance
反向传输电容
Reverse transfer capacitance
符号
Symbol
Ciss
测试条件
Tests Conditions
最小
Min
-
Coss VDS=25V, VGS =0V, f=1.0MHZ -
Crss -
典型 最大 单位
Type Max Unit
376 486 pF
39 49 pF
7.7 9.7 pF
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3Pages
图7. 最大安全工作区
Fig. 7 Maximum Safe Operating Area
图8. 最大漏极电流随温度变化曲线
Fig. 8 Maximum Drain Current vs Case Temperature
图9. 瞬态热响应曲线(TO-251/TO-252)
Fig. 9 Transient Thermal Response Curve
(TO-251/TO-252)
图10. 瞬态热响应曲线(TO-220)
Fig. 10 Transient Thermal Response Curve
(TO-220)
图11. 瞬态热响应曲线(TO-220F)
Fig. 11 Transient Thermal Response Curve
(TO-220F)
图12. 瞬态热响应曲线(TO-126)
Fig. 12 Transient Thermal Response Curve
(TO-126)
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合計 : 11 ページ |
| PDF ダウンロード [ DG2N60 データシート.PDF ] |
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データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
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| 部品番号 | 部品説明 | メーカ |
| DG2N60 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | DGME |
| DG2N60 | FET |  Jiangsu Dongguang |
| DG2N65 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | DGME |