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2SD2250 の電気的特性と機能

2SD2250のメーカーはINCHANGEです、この部品の機能は「Silicon NPN Darlington Power Transistor」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号
2SD2250
部品説明
Silicon NPN Darlington Power Transistor
メーカ
INCHANGE
ロゴ

INCHANGE ロゴ 




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2SD2250 Datasheet, 2SD2250 PDF,ピン配置, 機能
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
isc Product Specification
2SD2250
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 140V(Min)
·High DC Current Gain-
: hFE= 5000( Min.) @(IC= 6A, VCE= 5V)
·Low Collector Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 2.5V(Max)@ (IC= 6A, IB=B 6mA)
·Complement to Type 2SB1490
APPLICATIONS
·Designed for power amplification.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
160 V
VCEO Collector-Emitter Voltage
140 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
5V
IC Collector Current-Continuous
7A
ICM Collector Current-Peak
Collector Power Dissipation
@Ta=25
PC
Collector Power Dissipation
@TC=25
TJ Junction Temperature
Tstg Storage Temperature
12 A
3.5
W
90
150
-55~150
isc Websitewww.iscsemi.cn
Free Datasheet http://www.Datasheet4U.com

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合計 : 2 ページ
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[ 2SD2250 データシート.PDF ]

データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。

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部品番号部品説明メーカ
2SD2250

Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington(For power amplification)

Panasonic Semiconductor
Panasonic Semiconductor
2SD2250

Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification)

Panasonic Semiconductor
Panasonic Semiconductor
2SD2250

Silicon NPN Darlington Power Transistor

INCHANGE
INCHANGE
2SD2251

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Sanyo Semicon Device

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