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GP9962 の電気的特性と機能
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GP9962のメーカーはGTMです、この部品の機能は「N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET」です。 |
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製品の詳細 ( Datasheet PDF )
| 部品番号 GP9962 |
| 部品説明 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| メーカ GTM |
ロゴ |
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www.DataSheet4U.com
Pb Free Plating Product
ISSUED DATE :2005/08/08
REVISED DATE :
GP9962
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
BVDSS
RDS(ON)
ID
40V
28m
7A
Description
The GP9962 provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra
low on-resistance and cost-effectiveness.
Features
*Low On-Resistance
*Single Drive Requirement
Package Dimensions
D
GAUGE PLANE
SEATING PLANE
ZZ
be
b
SECTION Z - Z
DIP-8
REF.
A
A1
A2
b
b1
b2
b3
c
Millimeter
Min. Max.
- 0.5334
0.381
-
2.921
4.953
0.356
0.559
0.356
0.508
1.143
1.778
0.762
1.143
0.203
0.356
REF.
c1
D
E
E1
e
HE
L
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current3,VGS@10V
Continuous Drain Current3,VGS@10V
Pulsed Drain Current1,2
Total Power Dissipation
VDS
VGS
ID @TA=25
ID @TA=70
IDM
PD @TA=25
Linear Derating Factor
Operating Junction and Storage Temperature Range Tj, Tstg
Ratings
40
20
7
5.5
20
2
0.016
-55 ~ +150
Thermal Data
Parameter
Thermal Resistance Junction-ambient 3
Max.
Symbol
Rthj-a
Value
62.5
Millimeter
Min. Max.
0.203
0.279
9.017
10.16
6.096
7.112
7.620
8.255
2.540 BSC
- 10.92
2.921
3.810
Unit
V
V
A
A
A
W
W/
Unit
/W
1/4
1 Page
www.DataSheet4U.com
Characteristics Curve
ISSUED DATE :2005/08/08
REVISED DATE :
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output Characteristics
Fig 3. On-Resistance v.s. Gate Voltage
Fig 4. Normalized On-Resistance
v.s. Junction Temperature
Fig 5. Forward Characteristics of
Reverse Diode
Fig 6. Gate Threshold Voltage v.s.
Junction Temperature
3/4
3Pages
合計 : 4 ページ |
| PDF ダウンロード [ GP9962 データシート.PDF ] |
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データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
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| 部品番号 | 部品説明 | メーカ |
| GP9960 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | GTM |
| GP9962 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | GTM |