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1N23WG の電気的特性と機能

1N23WGのメーカーはAdvanced Semiconductorです、この部品の機能は「SILICON MIXER DIODE」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号
1N23WG
部品説明
SILICON MIXER DIODE
メーカ
Advanced Semiconductor
ロゴ

Advanced Semiconductor ロゴ 




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1N23WG Datasheet, 1N23WG PDF,ピン配置, 機能
1N23WG
SILICON MIXER DIODE
DESCRIPTION:
The ASI 1N23WG is a Silicon Mixer
Diode Designed for Applications
Operating From 8.0 to 12.4 GHz.
FEATURES:
High burnout resistance
Low noise figure
Hermetically sealed package
Matched pairs available by adding
suffix “M” or “MR” for matched forward
and reverse
MAXIMUM RATINGS
IF 20 mA
VR 1.0 V
PDISS
2.0 (ERGS) @ TC = 25 °C
TJ -55 °C to +150 °C
TSTG
-55 °C to +150 °C
PACKAGE STYLE DO- 23
NONE
CHARACTERISTICS TC = 25 °C
SYMBOL
TEST CONDITIONS
NF
F = 9375 MHz
RL = 100
Plo = 1.0 mW
IF = 30 MHz
NFif = 1.5 dB
VSWR
Z
IF
frange
RL = 22
f = 1000 Hz
MINIMUM TYPICAL
335
8.0
MAXIM
6.5
1.3
465
12.4
UNITS
dB
GHz
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 (818) 982-1200 FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
REV. B
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[ 1N23WG データシート.PDF ]

データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。

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部品番号部品説明メーカ
1N23WE

SILICON MIXER DIODE

Advanced Semiconductor
Advanced Semiconductor
1N23WE

DIODE

DSI
DSI
1N23WE

Diode ( Rectifier )

American Microsemiconductor
American Microsemiconductor
1N23WG

SILICON MIXER DIODE

Advanced Semiconductor
Advanced Semiconductor

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