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LT1001A の電気的特性と機能
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LT1001AのメーカーはAdvanced Semiconductorです、この部品の機能は「NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR」です。 |
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製品の詳細 ( Datasheet PDF )
| 部品番号 LT1001A |
| 部品説明 NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| メーカ Advanced Semiconductor |
ロゴ |
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LT1001A
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The ASILT1001A is a High
Frequency Transistor Designed for
High Gain Low Noise CATV, and
MATV Amplifier Applications.
PACKAGE STYLE TO-39
B
ØA
C
45°
ØD
E
F
GH
MAXIMUM RATINGS
IC 200 mA
VCE
PDISS
20 V
2.5 W @ TC = 50 OC
TJ -65 °C to +200 °C
TSTG
-65 °C to +200 °C
θJC 70 °C/W
DIM
MINIMUM
inches / mm
MAXIMUM
inches / mm
A .200 / 5.080
B .029 / 0.740
.045 / 1.140
C .028 / 0.720
.034 / 0.860
D .335 / 8.510
.370 / 9.370
E .305 / 7.750
.335 / 8.500
F .240 / 6.100
.260 / 6.600
G .500 / 12.700
H .016 / 0.407
.020 / 0.508
1 = EMITTER 2 = BASE
3 = COLLECTOR(CASE)
CHARACTERISTICS TA = 25 °C
SYMBOL
TEST CONDITIONS
BVCEO
IC = 5.0 mA
BVCBO
IC = 1.0 mA
BVEBO
IE = 100 µA
ICBO
VCB = 10 V
hFE VCE = 5.0 V IC = 50 mA
VCE(SAT)
IC = 50 mA
IB = 5.0 mA
ft
VCE = 14 V
IC = 90 mA
f = 300 MHz
Ccb VCB = 10 V
f = 1.0 MHz
NF
GUmax
VCE = 8.0 V
VCE = 14 V
IC = 50 mA
IC = 90 mA
f = 300 MHz
f = 300 MHz
MINIMUM
20
40
3.5
70
NONE
TYPICAL MAXIMUM
50
300
500
3.0
1.6
2.5
15
UNITS
V
V
V
µA
---
mV
GHz
pF
dB
dB
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1202 • FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
REV. A
1/1
1 Page
合計 : 1 ページ |
| PDF ダウンロード [ LT1001A データシート.PDF ] |
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データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
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| 部品番号 | 部品説明 | メーカ |
| LT1001 | Precision Operational Amplifier |  Linear Technology |
| LT1001A | NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |