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ESD8V0R1B-02LS の電気的特性と機能
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ESD8V0R1B-02LSのメーカーはInfineonです、この部品の機能は「Bi-directional Low Capacitance TVS Diode」です。 |
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製品の詳細 ( Datasheet PDF )
| 部品番号 ESD8V0R1B-02LS |
| 部品説明 Bi-directional Low Capacitance TVS Diode |
| メーカ Infineon |
ロゴ |
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Bi-directional Low Capacitance TVS Diode
• ESD / transient protection of high-speed
data lines in 3.3 / 5 / 12 V applications
according to:
IEC61000-4-2 (ESD): ±18 kV (air) ±15 kV (contact)
IEC61000-4-4 (EFT): 40 A (5 / 50 ns)
• Extremely small form factor down to
0.62 x 0.32 x 0.31 mm³ (0201)
• Max. working voltage: −8 / +14 V
• Very low reverse current < 1 nA typ.
• Very low series inductance down to 0.2 nH typ.
• Low capacitance of 4 pF typ.
• Pb-free (RoHS compliant) package
• Qualified according AEC Q101
Applications
• USB 2.0, 10/100 Ethernet, Firewire, DVI
• Mobile communication
• Consumer products (STB, MP3, DVD, DSC...)
• LCD displays, camera
• Notebooks and destop computers, peripherals
ESD8V0R1B...
ESD8V0R1B-02LS
ESD8V0R1B-02LRH
12
Type
ESD8V0R1B-02LRH
ESD8V0R1B-02LS
Package
TSLP-2-17
TSSLP-2-1
Configuration
1 line, bi-directional
1 line, bi-directional
Marking
E
E
1 2009-12-18
1 Page
ESD8V0R1B...
Non-repetitive peak pulse power
Ppk = ƒ (tp)
Power derating curve Ppk = ƒ (TA)
10 3
W
10 2
D= 0
D= .005
D= .01
D= .02
D= .05
D= .1
D= .2
D= .5
10 1
10
0
10
-8
10 -7
10 -6
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
s
tp
10 0
Reverse current IR = ƒ(VR)
TA = Parameter
110
%
90
80
70
60
50
40
30
20
10
00 25 50 75 100 °C 150
TA
Diode capacitance CT = ƒ (VR)
f = 1MHz
10 1
nA
10 0
10 -1
TA = 85°C
TA = 25°C
7
pF
5
4
3
2
10 -2
0 2 4 6 8 10 V 14
VR
1
00 2 4 6 8 10 12 V 15
VR
3 2009-12-18
3Pages
TSSLP-2-1 (mm)
ESD8V0R1B...
6 2009-12-18
6 Page
合計 : 7 ページ |
| PDF ダウンロード [ ESD8V0R1B-02LS データシート.PDF ] |
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データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
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| 部品番号 | 部品説明 | メーカ |
| ESD8V0R1B-02LRH | Bi-directional Low Capacitance TVS Diode | Infineon |
| ESD8V0R1B-02LS | Bi-directional Low Capacitance TVS Diode | Infineon |