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6R385P Datasheet ( データシート ダウンロード )

6R385P 機能 - IPI60R385CP - Infineon

部品番号 6R385P
部品説明 IPI60R385CP
メーカ Infineon 
ロゴ Infineon ロゴ 
プレビュー
		

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6R385P Datasheet, ピン配置, 機能
CoolMOSTM Power Transistor
Features
• Lowest figure-of-merit RON x Qg
• Ultra low gate charge
• Extreme dv/dt rated
• High peak current capability
• Qualified according to JEDEC1) for target applications
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
Product Summary
V DS @ Tj,max
R DS(on),max
Q g,typ
IPI60R385CP
650 V
0.385
17 nC
PG-TO262
CoolMOS CP is specially designed for:
• Hard switching SMPS topologies
Type
IPI60R385CP
Package
PG-TO262
Ordering Code Marking
SP000103250 6R385P
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Continuous drain current
Pulsed drain current2)
Avalanche energy, single pulse
Avalanche
energy,
repetitive
t
2),3)
AR
Avalanche
current,
repetitive
t
2),3)
AR
MOSFET dv /dt ruggedness
Gate source voltage
ID
I D,pulse
E AS
E AR
I AR
dv /dt
V GS
T C=25 °C
T C=100 °C
T C=25 °C
I D=3.4 A, V DD=50 V
I D=3.4 A, V DD=50 V
V DS=0...480 V
static
AC (f >1 Hz)
Power dissipation
P tot T C=25 °C
Operating and storage temperature T j, T stg
Rev. 2.1
page 1
Value
9.0
5.7
27
227
0.3
3
50
±20
±30
83
-55 ... 150
Unit
A
mJ
A
V/ns
V
W
°C
2007-02-15





ページ 合計 : 10 ページ
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