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電子部品 3DD13003V6D Datasheet 詳細情報 ( 特性, スペック, ピン接続図 )

部品番号 3DD13003V6D
部品説明 Silicon NPN Transistor
メーカ Huajing Microelectronics
ロゴ Huajing Microelectronics ロゴ 
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3DD13003V6D Datasheet, 3DD13003V6D PDF,ピン配置, 機能
NPN 低频放大双极型晶体管
3DD13003V6D
R
1 产品特点:
3DD13003V6D NPN 型功率开关晶体管,主要用于低压电子节能灯、电子镇流器中的功率
开关电路,是该类电子产品的核心部件。该产品集成了有源抗饱和网络,提高了产品的可靠性。
其特点如下:
开关损耗低、可靠性高
高温特性好
合适的开关速度
电流特性好、饱和压降低
封装形式TO-126
参考数据
BVCEO=200V
IC=1.5A
Ptot =35W Ta=25℃)
BCE
等效原理图
C
B
VD
E
部件名称
引线
塑封树脂
引线
焊料
说明
产品中有毒有害物质或元素的名称及含量
有害物质或元素
铅 汞 镉 六 价 铬 多溴联苯 多溴苯醚
Pb) (Hg) (Cd) (Cr(VI)(PBB) PBDE
○○○○○○
○○○○○○
○○○○○○
○○○○○○
○ ○○○○○
○:表示该有毒有害物质的含量SJ/T11363-2006 标准量要求以下。
×表示该有毒有害物质的含量超出 SJ/T11363-2006 标准量要
目前产品的焊料中含有铅(Pb)成但属欧盟 ROHS 指令豁免范围
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
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3DD13003V6D pdf, ピン配列
3DD13003V6D
3 特性曲线
IC (A)
安全工作区流)
Tc=25
Ptot (W)
Ptot-T 系曲线
R
1
0.1
0.01
1
hFE
10 100 VCE (V)
hFE - IC 系曲线
Ta=125
VCE=5V
Ta=25
10
Ta=-55
1
0.01 0.1
1 IC (A)
35
25
15
5
0
VCEsat (V)
Ptot-Ta
Ptot-Tc
50 100 T()
VCEsat - IC 系曲线
1
0.1
0.01
0.1
Ta=25
IC/IB=4
1 IC (A)
VBEsat
(V)
1.2
VBEsat - IC 系曲线
0.8
0.4
0.1
Ta=25
IC/IB=4
1 Ic(A)
无锡华润华晶微电子有限公司
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