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電子部品 KTB1368 Datasheet 詳細情報 ( 特性, スペック, ピン接続図 )

部品番号 KTB1368
部品説明 Silicon PNP Power Transistors
メーカ Inchange Semiconductor
ロゴ Inchange Semiconductor ロゴ 
プレビュー
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KTB1368 Datasheet, KTB1368 PDF,ピン配置, 機能
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistor
isc Product Specification
KTB1368
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= -80V(Min)
·Collector Power Dissipation-
: PC= 25W@ TC= 25
·Low Collector Saturation Voltage-
: VCE(sat)= -1.7V(Max)@ (IC= -3A, IB= -0.3A)
·Complement to Type KTD2060
APPLICATIONS
·Designed for general purpose applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
-80 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
-80 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
-5 V
IC Collector Current-Continuous
-4 A
IB Base Current-Continuous
PC
Collector Power Dissipation
@TC=25
TJ Junction Temperature
Tstg Storage Temperature
-0.4 A
25 W
150
-55~150
isc websitewww.iscsemi.com
1 isc & iscsemi is registered trademark

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