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電子部品 BUL741 Datasheet 詳細情報 特性, スペック, ピン接続図

部品番号 BUL741
部品説明 Silicon NPN Power Transistor
メーカ Inchange Semiconductor
ロゴ Inchange Semiconductor ロゴ 
プレビュー
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BUL741 Datasheet, BUL741 PDF,ピン配置, 機能
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
BUL741
DESCRIPTION
·Collector–Emitter Breakdown Voltage
: V(BR)CEO = 400V(Min.)
·Collector Saturation Voltage
: VCE(sat) = 0.5V(Max) @ IC= 0.7A
APPLICATIONS
·Designed for electronic lamp ballast circuits switch-mode
power supplies applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCES Collector-Emitter Voltage
1050
V
VCEO Collector-Emitter Voltage
400 V
VEBO Emitter-Base Voltage
15 V
IC Collector Current-Continuous
2.5 A
ICM Collector Current-peak
5A
IB Base Current-Continuous
1.5 A
IBM Base Current-peak
PC
Collector Power Dissipation
TC=25
Ti Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
3
60
150
-65~150
A
W
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case
MAX UNIT
2.08 /W
isc websitewww.iscsemi.cn
1

--------------------------------------------





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