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電子部品 BUL58D Datasheet 詳細情報 特性, スペック, ピン接続図

部品番号 BUL58D
部品説明 Silicon NPN Power Transistor
メーカ Inchange Semiconductor
ロゴ Inchange Semiconductor ロゴ 
プレビュー
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BUL58D Datasheet, BUL58D PDF,ピン配置, 機能
INCHANGE Semiconductor
Silicon NPN Power Transistor
Product Specification
BUL58D
DESCRIPTION
·High Voltage Capability
·High Speed Switching
·Integrated Antiparallel Collector-Emitter Diode
APPLICATIONS
·Electronic ballasts for fluorescent lighting
·Electronic transformers for halogen lamps
·Switch mode power supply
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCES Collector- Emitter Voltage
800 V
VCEO Collector-Emitter Voltage
450 V
VEBO Emitter-Base Voltage
9V
IC Collector Current
8A
ICM Collector Peak Current
16 A
IB Base Current
4A
IBM Base Peak Current
PC
Collector Power Dissipation
@TC=25
Tj Junction Temperature
Tstg Storage Temperature
8A
85 W
150
-65~150
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c
Rth j-a
Thermal Resistance,Junction to Case
Thermal Resistance,Junction to Ambient
MAX UNIT
1.47 /W
62.5 /W
isc websitewww.iscsemi.cn
1 isc & iscsemi is registered trademark

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