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電子部品 詳細情報 特性, スペック, ピン接続図

部品番号 BUL58B
部品説明 Silicon NPN Power Transistor
メーカ Inchange Semiconductor
ロゴ Inchange Semiconductor ロゴ 
プレビュー
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BUL58B Datasheet, BUL58B PDF,ピン配置, 機能
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
BUL58B
DESCRIPTION
·Collector–Emitter Sustaining Voltage
: VCEO(SUS) = 100V(Min.)
·Collector Saturation Voltage
: VCE(sat) = 0.2V(Max) @ IC= 1A
·High Speed Switching
APPLICATIONS
·Designed for use in electronic ballast applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO Collector-Base Voltage
250 V
VCEO Collector-Emitter Voltage
100 V
VEBO Emitter-Base Voltage
10 V
IC Collector Current-Continuous
12 A
ICM Collector Current-peak
17 A
IB Base Current-Continuous
PC
Collector Power Dissipation
TC=25
Ti Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
4A
50 W
150
-55~150
isc websitewww.iscsemi.cn
1 isc & iscsemi is registered trademark

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