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電子部品 詳細情報 特性, スペック, ピン接続図

部品番号 BUL39D
部品説明 Silicon NPN Power Transistor
メーカ Inchange Semiconductor
ロゴ Inchange Semiconductor ロゴ 
プレビュー
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BUL39D Datasheet, BUL39D PDF,ピン配置, 機能
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
BUL39D
DESCRIPTION
·Collector–Emitter Sustaining Voltage
: VCEO(SUS) = 450V(Min.)
·Collector Saturation Voltage
: VCE(sat) = 0.5V(Max) @ IC= 1.0A
·Very High Switching Speed
APPLICATIONS
·Designed for use in lighting applications and low cost switch-
mode power supplies
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCES Collector-Emitter Voltage
850 V
VCEO Collector-Emitter Voltage
450 V
VEBO Emitter-Base Voltage
9V
IC Collector Current-Continuous
4A
ICM Collector Current-peak tp<5ms
IB Base Current-Continuous
8A
2A
IBM Base Current-peak tp<5ms
PC
Collector Power Dissipation
TC=25
Ti Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
4
70
150
-65~150
A
W
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MAX UNIT
Rth j-c
Rth j-A
Thermal Resistance,Junction to Case
1.78 /W
Thermal Resistance,Junction to Ambient 70 /W
isc websitewww.iscsemi.cn
1

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